VOLTCRAFT UC-1C20W01 USB Ladegerät 20 W 1x USB-C® Fast Charge, USB PD 3.0 Weiß Innenbereich GaN

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Schnelle Ladegeräte für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops. Laden Sie Ihr Gerät schnell, sicher und zuverlässig auf. GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.

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Schnelle Ladegeräte für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops. Laden Sie Ihr Gerät schnell, sicher und zuverlässig auf. GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.

Andere

Überblick Schnellladegerät mit PD3,0 Unterstützung Max. 20 W 1 x USB-C® Unterstützt Schnellaufladung für alle iPhone 8 und höher iPad mini (ab 4. Generation), iPad (ab 8. Generation), iPad Air (ab 3. Generation), iPad Pro (ab 2. Generation), iPad Pro (ab 4. Generation) Beschreibung Schnelle Ladegeräte für Telefone, Tablets, Switches, Powerbanks und Laptops. Laden Sie Ihr Gerät schnell, sicher und zuverlässig auf. GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich